半導(dǎo)體無塵室安全工作規(guī)范
1.進(jìn)入無塵室前，必須知會管理人，并通過基本訓(xùn)練。
2.進(jìn)入無塵室嚴(yán)禁吸煙，吃(飲)食，外來雜物(如報章，雜志，鉛筆…等)不可攜入，并嚴(yán)禁嘻鬧奔跑及團(tuán)聚談天。
3.進(jìn)入無塵室前，需在規(guī)定之處所脫鞋，將鞋置于鞋柜內(nèi)，外衣置于衣柜內(nèi)，私人物品置于私人柜內(nèi)，柜內(nèi)不可放置食物。
4.進(jìn)入無塵室須先在更衣室，將口罩，無塵帽，無塵衣以及鞋套按規(guī)定依程序穿戴整齊，再經(jīng)空氣洗塵室洗塵，并踩踏除塵地毯(洗塵室地板上)方得進(jìn)入。參考前文：潔凈室施工安全管理
7.整肅儀容后，先戴無塵帽，無塵帽的穿戴原則系:
(1)頭發(fā)必須完全覆蓋在帽內(nèi)，不得外露。
(2)無塵帽之下擺要平散于兩肩之上，穿上工作衣后，方不致下擺脫出，裸露肩頸部。
8.無塵帽戴妥后，再著無塵衣，無塵衣應(yīng)尺?合宜，才不致有褲管或衣袖太短而裸露皮膚之虞，穿衣時應(yīng)注意帽之下擺應(yīng)保平整之狀態(tài)，無塵衣不可反穿。
9.穿著無塵衣后，才著鞋套，拉上鞋套并將鞋套整平，確實(shí)蓋在褲管之上。
10.戴手套時應(yīng)避免以光手碰觸手套之手掌及指尖處(防止鈉離子污染)，戴上手套后，應(yīng)將手套之手腕置于衣袖內(nèi)，以隔絕污染源。
11.無塵衣著妥后，經(jīng)洗塵，并踩踏除塵毯，方得進(jìn)入無塵室。
12.不論進(jìn)入或離開無塵室，須按規(guī)定在更衣室脫無塵衣，不可在其它區(qū)域?yàn)橹?，尤不可?a href="http://m.gxshunjiang.com/" target="_blank" rel="noopener">無塵室內(nèi)邊走邊脫。
13.無塵衣，鞋套等，應(yīng)定期清洗，有破損，脫線時，應(yīng)即換新。
14.脫下無塵衣時，其順序與穿著時相反。
15.脫下之無塵衣應(yīng)吊好，并放于更衣室內(nèi)上層柜子中;鞋套應(yīng)放置于吊好的無塵衣下方。
16.更衣室內(nèi)小柜中，除了放置無塵衣等規(guī)定物品外，不得放置其它物品。
17.除規(guī)定紙張及物品外，其它物品一概不得攜入無塵室。
18.無塵衣等不得攜出無塵室，用畢放置于規(guī)定處所。
19.口罩與手套可視狀況自行保管或重復(fù)使用。
20.任何東西進(jìn)入無塵室，必須用灑精擦拭干凈。
21.任何設(shè)備的進(jìn)入，請知會管理人，在無塵室外擦拭干凈，方可進(jìn)入。
22.未通過考核之儀器，禁止使用，若遇緊急情況，得依緊急處理步驟作適當(dāng)處理，例如關(guān)閉水、電、氣體等開關(guān)。
23.無塵室內(nèi)絕對不可動火，以免發(fā)生意外。
1.處理芯片時，必須戴上無纖維手套，使用清洗過的干凈鑷子挾持芯片，請勿以手指或其它任何東西接觸芯片，遭碰觸污染過的芯片須經(jīng)清洗，方得繼續(xù)使用：
(1)任何一支鑷子前端(即挾持芯片端)如被碰觸過，或是鑷子掉落地上，必須拿去清洗請勿用紙巾或布擦拭臟鑷子。
(2)芯片清洗后進(jìn)行下一程序前，若被手指碰觸過，必須重新清洗。
(3)把芯片放置于石英舟上，準(zhǔn)備進(jìn)爐管時，若發(fā)現(xiàn)所用鑷子有污損現(xiàn)象或芯片上有顯眼由鑷子所引起的污染，必須將芯片重新清洗，并立即更換干凈的鑷子使用。
2.芯片必須放置盒中，蓋起來存放于規(guī)定位置，盡可能不讓它暴露。
3.避免在芯片上談話，以防止唾液濺于芯片上，在芯片進(jìn)擴(kuò)散爐前，請?zhí)貏e注意，防止上述動作產(chǎn)生，若芯片上沾有纖維屑時，用氮?dú)鈽寚娭?/p>
4.從鐵弗龍(Teflon)晶舟，石英舟(Quartz Boat)等載具(Carrier)上，取出芯片時，必須垂直向上挾起，避免刮傷芯片，顯微鏡鏡頭確已離芯片，方可從吸座上移走芯片。
5.芯片上，若已長上氧化層，在送黃光室前切勿用鉆石刀在芯片上刻記。
6.操作時，不論是否戴上手套，手絕不能放進(jìn)清洗水槽。
7.使用化學(xué)站或烤箱處理芯片時，務(wù)必將芯片置放于鐵弗龍晶舟內(nèi)，不可使用塑料盒。
8.擺置芯片于石英舟時，若芯片掉落地上或手中則必須重新清洗芯片，然后再進(jìn)氧化爐。
9.請勿觸摸芯片盒內(nèi)部，如被碰觸或有碎芯片污染，必須重作清洗。
10.手套，廢紙及其它雜碎東西，請勿留置于操作臺，手套若燒焦、磨破或纖維質(zhì)變多必須換新。
11.非經(jīng)指示，絕不可開啟不熟悉的儀器及各種開關(guān)閥控制鈕或把手。
12.奇怪的味道或反應(yīng)異常的溶液，顏色，聲響等請即通知相關(guān)人員。
13.儀器因操作錯誤而有任何損壞時，務(wù)必立刻告知負(fù)責(zé)人員或老師。
14.芯片盒進(jìn)出無塵室須保持干凈，并以保鮮膜封裝，違者不得進(jìn)入。
15.無塵室內(nèi)一律使用原子筆及無塵筆記本做記錄，一般紙張與鉛筆不得攜入。
1.濕度及溫度會影響對準(zhǔn)工作在黃光區(qū)應(yīng)注意溫度及濕度，并應(yīng)減少對準(zhǔn)機(jī)附近的人，以減少濕、溫度的變化。
2.上妥光阻尚未曝光完成之芯片，不得攜出黃光區(qū)以免感光。
3.己上妥光阻，而在等待對準(zhǔn)曝光之芯片，應(yīng)放置于不透明之藍(lán)黑色晶盒之內(nèi)，盒蓋必須蓋妥。
4.光罩使用時應(yīng)持取邊緣，不得觸及光罩面，任何狀況之下，光罩鉻膜不得與他物接觸，以防刮傷，光罩之落塵可以氮?dú)鈽尨抵?/p>
5.曝光時，應(yīng)避免用眼睛直視曝光機(jī)汞燈。
1.進(jìn)入實(shí)驗(yàn)室后，應(yīng)先戴上手套后，再取鑷子，以免沾污。
2.唯有使用干凈的鑷子，才可持取芯片，鑷子一旦掉在地上或被手觸碰，或因其它原因而遭污染，必須拿去清洗，方可再使用。
3.鑷子使用后，應(yīng)放于各站規(guī)定處，不可任意放置，如有特殊制程用鑷子，使用后應(yīng)自行保管，不可和實(shí)驗(yàn)室內(nèi)各站之鑷子混合使用。
4.持鑷子應(yīng)采”握筆式”姿勢挾取芯片。
5.挾取芯片時，順序應(yīng)由后向前挾取，放回芯片時，則由前向后放回，以免刮傷芯片表面。
6.挾取芯片時，”短邊” (鋸狀頭)置于芯片正面，”長邊” (平頭)置于芯片背面，挾芯片空白部分，不可傷及芯片。
7.嚴(yán)禁將鑷子接觸酸槽或D.I Water水槽中。
8.鑷子僅可做為挾取芯片用，不準(zhǔn)做其它用途。
1.化學(xué)藥品的進(jìn)出須登記，并知會管理人，并附上物質(zhì)安全資料表
（MSDS）于實(shí)驗(yàn)室門口。
2.使用化學(xué)藥品前，請詳讀物質(zhì)安全資料表(MSDS)，并告知管理人。
3.換酸前必先穿著防酸塑料裙，戴上防酸長袖手套，頭戴護(hù)鏡，腳著塑料防酸鞋，始可進(jìn)行換酸工作。
4.不得任意打開酸瓶的蓋子，使用后立即鎖緊蓋子。
5.稀釋酸液時，千萬記得加酸于水，絕不可加水于酸。
6.勿嘗任何化學(xué)藥品或以嗅覺來確定容器內(nèi)之藥品。
7.不明容器內(nèi)為何種藥品時，切勿搖動或倒置該容器。
8.所有化學(xué)藥品之作業(yè)均須在通風(fēng)良好或排氣之處為之。
9.操作各項(xiàng)酸液時須詳讀各操作規(guī)范。
10.酸類可與堿類共同存于有抽風(fēng)設(shè)備的儲柜，但絕不可與有機(jī)溶劑存放在一起。
11.廢酸請放入廢酸桶，不可任意傾倒，更不可與有機(jī)溶液混合。
12.廢棄有機(jī)溶液置放入有機(jī)廢液桶內(nèi)，不可任意傾倒或倒入廢酸桶內(nèi)。
13.勿任意更換容器內(nèi)溶液。
14.欲自行攜入之溶液請事先告知經(jīng)許可后方可攜入，如果欲自行攜入之溶液具有危險性時，必須經(jīng)評估后方可攜入，并請于容器上清楚標(biāo)明容器內(nèi)容物及保存期限。
15.廢液處理：廢液分酸、堿、氫氟酸、有機(jī)、等，分開處理并登記，回收桶標(biāo)示清楚，廢液桶內(nèi)含氫氟酸等酸堿，絕對不可用手觸碰。
16.漏水或漏酸處理：漏水或漏酸時，為確保安全，絕對不可用手觸碰，先將電源總開關(guān)與相關(guān)閥門關(guān)閉，再以無塵布或酸堿吸附器處理之，并報備管理人。
1.操作時須依規(guī)定，戴上橡皮手套及口罩。
2.不可將塑料盒放入酸槽或清洗槽中。
3.添加任何溶液前，務(wù)必事先確認(rèn)容器內(nèi)溶劑方可添加。
4.在化學(xué)工作站工作時應(yīng)養(yǎng)成良好工作姿勢，上身應(yīng)避免前傾至化學(xué)槽及清洗槽之上方，一方面可防止危險發(fā)生，另一方面亦減少污染機(jī)會。
5.化學(xué)站不操作時，有蓋者應(yīng)隨時將蓋蓋妥，清洗水槽之水開關(guān)關(guān)上。
6.化學(xué)藥品濺到衣服、皮膚、臉部、眼睛時，應(yīng)即用水沖洗濺傷部位
15分鐘以上，且必須皮膚顏色恢復(fù)正常為止，并立刻安排急救處理。
7.化學(xué)品外泄時應(yīng)迅速反應(yīng)，并做適當(dāng)處理，若有需要撤離時應(yīng)依指示撤離。
8.各化學(xué)工作站上使用之橡皮手套，避免觸碰各機(jī)臺及工作臺，及其它器具等物，一般操作請戴無塵手套。
1. DI Water 5min，有明顯粘污時用無塵布和酒精擦拭
2. H2SO4:H2O2=3:1煮30min，去金屬、有機(jī)、油
3. DI Water 5min
4. BOE 2 min，去自然氧化層(Native Oxide)
5. DI Water 5min
6. Spin Dry
1.有水則先倒水╋H2O2最后倒╋數(shù)字比為體積比。
2.有機(jī)與酸堿絕對不可混合╋操作平臺也務(wù)必分開使用。
3.酸堿溶液等冷卻后倒入回收槽╋并以DI Water沖玻璃杯5 min。
4.酸堿空瓶以水清洗后╋并依塑料瓶╋玻璃瓶分開置于室外回收筒。
5.氫氟酸會腐蝕骨頭╋若碰到立即用葡萄酸鈣加水涂抹，再用清水沖洗干凈，并就醫(yī)。碰到其它酸堿則立即以DI Water大量沖洗。
6.清洗后之Wafer盡量放在DI Water中避免污染。
7.去除正光阻步驟為丙酮DI Water。
8．每個玻璃杯或槽都有特定要裝的溶液╋蝕刻、清洗、電鍍、有機(jī)絕不能混合。
9.廢液回收分酸、堿、氫氟酸、有機(jī)四種，分開回收并記錄，傾倒前先檢查廢棄物兼容性表，確定無誤再傾倒。
1.用把手逆時針打開氣體鋼瓶到底，將【OUTLET】打開PURGE
關(guān)閉。
2.由黑色轉(zhuǎn)鈕調(diào)整氣體鋼瓶的壓力(psi)，順時針方向?yàn)樵黾?，逆時針方向?yàn)闇p少。
3.將N2鋼瓶調(diào)整為40psi（黃光室內(nèi)為20psi）,AIR鋼瓶調(diào)整為80psi（黃光室內(nèi)為60psi）。
4.氣體鋼瓶使用完畢后，用把手順時針關(guān)閉氣體鋼瓶到底，將【OUTLET】關(guān)閉【PURGE】打開將管路內(nèi)的氣體排出后將【PURGE】
關(guān)閉。
純水系統(tǒng)使用操作方法
1.閥門控制
(1)閥門(VALVE)V1、V2、V3、V4、V6、V8、V10、V12、V13、V14、V16、V17、V19應(yīng)保持全開。
(2)閥門V5、V7、V11、V18、V21應(yīng)保持全關(guān)。
(3)閥門V9、V20為調(diào)壓作用，不可全開或全關(guān)。
(4)閥門中V5為砂濾機(jī)之BY-PASS，V15為U.V燈之BY-PASS，V18為DI桶之BY-PASS，V21為RO膜之BY-PASS。
2.自動造水
步驟1：如上【閥門控制】將各球閥門開關(guān)定位。
步驟2：控制箱上，各切換開關(guān)保持在【OFF】位置。
步驟3：將控制箱上【系統(tǒng)運(yùn)轉(zhuǎn)】開關(guān)切換至【ON】位置。
步驟4：電磁閥1激活先做初期排放。
步驟5：電磁閥2激活造水。
步驟6：此時，PUMP1、PUMP2依序激活，系統(tǒng)正常造水，RO產(chǎn)水經(jīng)管路進(jìn)入儲水桶(TANK)，當(dāng)水滿后控制箱上高液位指示燈亮，系統(tǒng)自動停機(jī)，并于儲水桶水位下降至低液位時再激活造水。
3.系統(tǒng)用水
將控制箱上之【夜間循環(huán)-停-用水】切換開關(guān)切換至【用水】，此時PUMP3輸送泵浦激活，TANK內(nèi)之純水經(jīng)幫浦輸送至U.V、DI桶及精密過濾后，供現(xiàn)場各使用點(diǎn)使用。
4.夜間循環(huán)
控制箱上之【夜間循環(huán)-停-用水幫浦輸送至U.V、DI桶及精密過濾后，供現(xiàn)場各使用點(diǎn)使用。
4.夜間循環(huán)
控制箱上之【夜間循環(huán)-停-用水】切換開關(guān)，主要在配合每日下班或連續(xù)假日停止供水后管路之衛(wèi)生考慮，其步驟為:
(1)停止供水59分鐘后，系統(tǒng)再自動供水1分鐘。
(2)此后每隔59分鐘供水循環(huán)1分鐘至夜間循環(huán)【?！繛橹埂?/p>
5.系統(tǒng)偵測
本系統(tǒng)中附有各項(xiàng)壓力表、流量計及導(dǎo)電度計，作為系統(tǒng)運(yùn)轉(zhuǎn)之控制，
其功能如下:
壓力表1：砂濾機(jī)進(jìn)水壓力
壓力表2：RO進(jìn)水壓力
壓力表3：RO排水壓力
壓力表4：DI進(jìn)水壓力
壓力表5：供水回流壓
流量計1：RO排水流量
流量計2：RO產(chǎn)水流量
另外，控制箱(機(jī)房)附有二段式LED導(dǎo)電度顯示屏，原水及產(chǎn)水分別切換顯示。
6.系統(tǒng)維護(hù)
HF-RD系統(tǒng)，應(yīng)定期更新之耗材:
(1)砂濾機(jī)應(yīng)定期逆時。
(2)預(yù)濾應(yīng)每1-2個月更新。
(3)膜管應(yīng)視其去除率及產(chǎn)水量做必要之清洗或更新。
7.故障排除
現(xiàn)象可能因素排除方法
系統(tǒng)停機(jī)、系統(tǒng)無法激活
1.外電源異常
2.系統(tǒng)運(yùn)轉(zhuǎn)開關(guān)未按下
3.系統(tǒng)電路故障
4.馬達(dá)/泵浦故障
1.檢查系統(tǒng)電源電路
2.按下
系統(tǒng)運(yùn)轉(zhuǎn)開關(guān)
3.通知廠商
4.更新馬達(dá)/泵浦
低產(chǎn)水量1.膜管排水量太高2.壓力不足3.膜管阻塞1.調(diào)整排水閥V92.清洗膜管或更新膜管
低比電阻1.樹脂功能下降2. RO去除率下降1.更換樹脂2.更換RO膜組
光罩對準(zhǔn)機(jī)使用操作方法
曝光機(jī)簡介
在半導(dǎo)體制程中，涂布光阻后的芯片，須經(jīng)UV紫外光照射曝光顯影，此臺曝光機(jī)為OAI 200系列，整合光罩對準(zhǔn)、UV紫外光曝光顯影、UV紫外光測量裝置及光罩夾持裝置。
OAI 200系列為一入門型光罩對準(zhǔn)儀，可以手動操作更改各項(xiàng)使用參數(shù)，如曝光時間、曝光強(qiáng)度及曝光功率等等。對于中高階的線寬有很
好的顯影效果，此系列最大可使用四?的芯片，最大的曝光功率為1KW。曝光機(jī)使用步驟
1.檢查氮?dú)怃撈俊碅IR 60psi〉〈N2 20psi〉以及黃光室的氮?dú)忾y、
空氣閥是否有開啟。開啟曝光機(jī)下方延長線的紅色總開關(guān)，再開啟曝光機(jī)、顯微鏡。
2.接上隧道式抽風(fēng)馬達(dá)電源，進(jìn)行曝光機(jī)抽風(fēng)步驟，并檢查曝光機(jī)上方汞燈座后面進(jìn)風(fēng)口是否有進(jìn)氣。如果風(fēng)量微小或者無進(jìn)氣，則無法
開啟汞燈的電源〈會有警報聲〉。確定進(jìn)風(fēng)口有進(jìn)氣后，才可開啟曝光機(jī)下方的汞燈電源供應(yīng)器ON/OFF開關(guān)。
3.按住汞燈電源供應(yīng)器之START鍵，約1~3秒鐘，此時電流值會上升〈代表汞燈點(diǎn)亮，開始消耗電流〉，馬上放掉按鍵，汞燈即被點(diǎn)亮。
4.汞燈點(diǎn)亮后，至少須待機(jī)30分鐘，使Lightsource系統(tǒng)穩(wěn)定。假使汞燈無法點(diǎn)亮，請不要作任何修護(hù)動作。
5.待系統(tǒng)穩(wěn)定后，把電源供應(yīng)器上的電壓、電流值填到紀(jì)錄表上，每一次開燈使用都要登記作為紀(jì)錄。
6.旋開光罩夾具之螺絲，光罩之正面〈鍍鉻面〉朝下，對準(zhǔn)三個基準(zhǔn)點(diǎn)，壓下【MASK VAC.】鍵，使真空吸住光罩，再鎖好螺絲以固定光罩。
注意：
＊MASK Holder必須放下時才能放置光罩。扳動【MASK FRAMEUP/DOWN】可使MASK Holder升起或放下。
＊先用氮?dú)獯倒庹趾蚆ASK Holder，光罩正面朝下，對準(zhǔn)黑邊鐵框，手勿接觸光罩，壓下【MASK VAC.】鍵，使真空吸住光罩，鎖上旁邊兩個黑鐵邊。
＊檢查放置芯片的圓形基座CHUNK是否有比光罩低些，防止光罩壓破芯片。
7.扳起【MASK FRAME UP/DOWN】鍵，使MASK Holder上升，放置芯片到CHUNK上，將【SUB VAC.】鍵扳至ON，使真空吸住芯片，扳下【MASK FRAME UP/DOWN】鍵，使MASK Holder放下。
8.扳動臺邊鈕(Ball Lock Button)為Unlock，順時針方向慢慢旋轉(zhuǎn)旋轉(zhuǎn)鈕(Z knob)，使芯片基座上升，直到傳動皮帶感覺已拉緊即可，然后逆時針旋轉(zhuǎn)Z Knob約15格，扳動臺邊鈕(Ball Lock Button)為Lock。
注意：
＊Z knob每格約15 microns。
＊逆時針方向旋轉(zhuǎn)Z knob，會使放置芯片基座下降，其目的是為了作對準(zhǔn)時，讓芯片和光罩有些許的距離，使芯片與光罩不會直接摩擦。
＊若不須對準(zhǔn)時，可以不使用逆時針方向旋轉(zhuǎn)Z knob。
＊旋轉(zhuǎn)Z knob時，不論順時針或逆時針轉(zhuǎn)動，當(dāng)皮帶打滑時，代表芯片基座已和光罩接觸，此時不可逆時針旋轉(zhuǎn)，而導(dǎo)致內(nèi)部螺栓松脫。
＊CHUNK¨Z¨ADJUST一般為15A~20 A之間，且電流越小皮帶越松。
9.移動顯微鏡座，至光罩上方，作芯片與光罩的對準(zhǔn)校正。如須調(diào)整芯片的位置，可使用芯片基座旁的微調(diào)桿，校正芯片座X、Y及θ。
10.
100 SEC
1000 SEC
RESET
EXPOSE
SEC
曝光機(jī)面板左側(cè)如下圖：
注意：
＊曝光秒數(shù)有兩種設(shè)定，一種為1000SEC，一種為100SEC。當(dāng)按下1000SEC時，計數(shù)器最大可設(shè)999秒的曝光時間；按下100SEC時，計數(shù)器最大可設(shè)99.9秒的曝光時間。
＊再設(shè)定曝光秒數(shù)時要先測量汞燈的亮度，先按LAMP TEST再按住把手上的按鈕移動基座至曝光機(jī)左端底，后然將OAI 306 UVPOWERMETER放置于CHUNK上即可，完畢后按RESET，而且可多測幾個不同的位置，觀看汞燈的亮度是否均勻，所測得的單位為mw/cm2，
乘時間(SEC)即變可mJ的單位。
11.設(shè)定好曝光秒數(shù)后，即可進(jìn)行曝光的程序。扳動【CONTACT VAC.】至ON，【N2 PURGE】至ON，則芯片和光罩之間會產(chǎn)生些許的真空。
注意:
＊【CONTACT VAC ADJUST】的范圍一般為紅色-25kpa左右。
12.按住把手上的按鈕，此時基座才可移動，移至曝光機(jī)左端底，放開按鈕，則曝光機(jī)會自動進(jìn)行曝光的動作。
13.曝光完成后，即可將基座移回曝光機(jī)右端。扳動扳動【N2 PURGE】為OFF。再扳動【CONTACT VAC.】至OFF，儀器會充氮?dú)馄乒庹峙c芯片間的真空，方便使用者拿出芯片。
14.逆時針旋轉(zhuǎn)Z knob，降下芯片基座至最低點(diǎn)。松開光罩固定的黑邊鐵框，拉起【MASK VAC.】鈕，即可破除MASK Holder的真空，光罩即可取出。
15.扳起【MASK FRAME UP/DOWN】為UP，使MASK Holder升起。扳動【SUB VAC.】為OFF，使用芯片夾取出芯片，再扳【MASK FRAME UP/DOWN】為DOWN。
16.如須進(jìn)行再一次的曝光，則可重復(fù)上述步驟。
17.完成所有的曝光程序后，先關(guān)掉顯微鏡光源產(chǎn)生器，再關(guān)掉汞燈電源供應(yīng)器。〈關(guān)燈后一小時內(nèi)不可再開啟汞燈，已延長汞燈壽命〉
18.先關(guān)隧道式抽風(fēng)馬達(dá)電源，關(guān)掉曝光機(jī)的開關(guān)【SYSTEM ON/OFF】為OFF，再關(guān)掉曝光機(jī)下方的延長線總開關(guān)。待曝光機(jī)冷卻后，最后再關(guān)掉墻上氮?dú)忾y及空氣閥。
熱蒸鍍機(jī)使用操作方法
A.開機(jī)步驟
1.開機(jī)器背面的總電源開關(guān)。
2.開冷卻水，需先激活D.I Water系統(tǒng)。
3.開RP，熱機(jī)2分鐘。
4.開三向閥切至F.V的位置，等2分鐘。
5.開DP，熱機(jī)30分鐘(熱機(jī)同時即可進(jìn)行Sample之清洗與裝載，以節(jié)省時間)。
B.裝載
1.開Vent，進(jìn)氣之后立刻關(guān)閉。
2.開Chamber。
3. Loading Sample、Boat及金屬。
4.以Shutter擋住Sample。
5.關(guān)Chamber，關(guān)門時務(wù)必注意門是否密合，因機(jī)器年久失修，通常須用手壓緊門的右上角。
C.抽真空
1.初抽
(1)三向閥切至R.V位置(最好每隔幾分鐘就切換到F.V一下，以免DP內(nèi)的幫浦油氣分子擴(kuò)散進(jìn)入chamber中)。
(2)真空計VAP-5顯示至5′10-2 torr時三向閥切至F.V，等30秒。
2.細(xì)抽
(1) M.V ON，記錄時間。
(2) ION GAUGE ON，壓下Fil點(diǎn)燃燈絲(需要低于10-3 Torr以下才抽氣完成)。
D.蒸鍍
1.壓力約2′10-5 Torr時，開始加入液態(tài)氮。
2.壓力低于2′10-6 Torr時，記錄壓力及抽氣時間并關(guān)掉ION GAUGE。
3. Heater Power ON (確定Power調(diào)整鈕歸零)。
4.選擇BOAT1 or BOAT2。
5.蒸鍍開始，注意電流需慢慢增加。
注意:
＊鍍金時，儀表上電流約100A，鍍Al時電流可稍微小些，約70~80A。
＊當(dāng)BOAT高熱發(fā)出紅光時，應(yīng)立即關(guān)閉觀景窗，以免金屬附著在觀景窗的玻璃上。
＊空鍍幾秒將待鍍金屬表面清干凈后即可打開Shutter，開始蒸鍍。
＊蒸鍍完成后，立刻關(guān)閉Heater Power，等10~15分鐘讓BOAT冷卻及蒸鍍后的金屬冷卻，避免立即和空氣接觸而氧化，才可vent破真空。
E.破真空
1. Substrate Hold溫度需要降至常溫。
2. ION GAUGE【POWER】OFF。
3. M.V OFF。
4. DP OFF冷卻30~60分鐘。
5.開Vent(進(jìn)氣后立刻關(guān)閉)。
6.開Chamber，取出Sample及BOAT。
7.關(guān)Chamber，注意將門關(guān)緊。
F.關(guān)機(jī)
1.關(guān)F.V。
2.開R.V，抽至0.01 Torr之后關(guān)閉。
3.開F.V，30秒后三向閥切至關(guān)閉之位置。
4. RP OFF。
5.關(guān)總電源。
6.關(guān)冷卻水。
7.關(guān)氮?dú)狻?/p>
注意：
＊蒸鍍時，電流應(yīng)緩慢增大，且不可太大，以免金屬在瞬間大量氣化，使厚度不易控制。
＊若接續(xù)他人使用，液態(tài)氮可少灌一點(diǎn)兒，約三分之一筒即可。
氧化爐管使用操作方法
氧化爐管簡介
本實(shí)驗(yàn)室所采用之氧化爐管為Lenton LTF 1200水平管狀式爐子，可放2英硅晶圓，加熱區(qū)大于50cm，最高溫度可達(dá)1200°C并可連續(xù)24hr，最大操作溫度為1150°C，溫控方式采用PID微電腦自動溫度控制器。
目的
將硅芯片曝露在高溫且含氧的環(huán)境中一段時間后，我們可以在硅芯片的表面生長一層與硅的附著性良好，且電性符合我們要求的絕緣體-SiO2。
注意:
＊在開啟氧化爐之前，必須先確定【HEAT】Switch設(shè)定為【O】關(guān)閉的狀態(tài)。Switch在有電源供應(yīng)時【l】將會發(fā)光，而氧化爐也將開始加熱。
＊如果過溫保護(hù)裝置是好的，請確定警報點(diǎn)的設(shè)定于目前的使用過程中為恰當(dāng)?shù)?。如果過熱保護(hù)裝置是好的，蜂嗚器會有聲音，在過溫控制器操作中有警報一致的程序。
＊為了改善石英玻璃管或襯套熱量的碰撞，其加熱速率最大不能超過3°C per min。
＊為了減少熱流失，必須確定正確的操作程序，適當(dāng)?shù)氖褂媒^緣栓和放射遮蔽可以密封石英玻璃管。
＊在操作氧化爐時不要在最大溫度下關(guān)閉氧化爐，以延長氧化爐的壽命。
操作步驟:
檢查前一次操作是否有異常問題發(fā)生，并填寫操作記錄。
2.檢查機(jī)臺狀態(tài)
(1)控制面板狀態(tài)：使用前先確定【HEAT】Switch設(shè)定為【O】關(guān)閉的狀態(tài)。
(2)加熱控制器: Lenton LTF 1200溫度>400°C，前后段爐溫差￡40°C。
3)氣體控制:H2【OFF】，O2【OFF】。
3.將芯片緩慢的推入爐管內(nèi)。
4.打開墻上H2、O2之開關(guān)和機(jī)房的氣瓶調(diào)壓閥。
5.設(shè)定預(yù)設(shè)氣體（H2、O2）流量值及爐溫。
6.按下【HEAT】Switch為【l】，此時爐溫將從恒溫(400°C)慢慢加熱至標(biāo)準(zhǔn)制程溫度1100°C，升溫速率最大不能超過3°C per min。
7.待爐溫降至恒溫后將芯片取出。
8.關(guān)閉H2、O2。
9.關(guān)閉爐管后端H2之開關(guān)及墻上之開關(guān)和機(jī)房的氣瓶調(diào)壓閥。
10.檢查爐管是否完成關(guān)機(jī)動作。
11.填寫操作記錄之終了時間和異常保護(hù)及說明。
涂布機(jī)使用操作方法
1.首先將PUMP的電源插頭插入涂布機(jī)后面的電源插座。
2.將涂布機(jī)的插頭插入110V的電源插座，然后按下【POWER】鍵。
3.設(shè)定旋轉(zhuǎn)的轉(zhuǎn)速及時間，本機(jī)型為二段式加速的Spin Coating，右邊為第一段加速，左邊為第二段加速。
4.依不同尺寸的基材，可更換不同的旋轉(zhuǎn)轉(zhuǎn)盤做涂布的動作。
5.按下【PUMP】鍵，此時旋轉(zhuǎn)轉(zhuǎn)盤會吸住基材，然后將光阻依螺旋狀從基材中心均勻且慢慢的往外涂開至適當(dāng)?shù)牧?，在做光阻涂開動作時可先用氮?dú)鈱⑿D(zhuǎn)轉(zhuǎn)盤周圍及基材吹干凈。
6.蓋上涂布機(jī)的保護(hù)蓋，以防止光阻濺出涂布機(jī)外。
7.按下【START】鍵，涂布機(jī)便開始做涂布的動作。
8.涂布完畢后，打開保護(hù)蓋，按下【PUMP】鍵旋轉(zhuǎn)轉(zhuǎn)盤會放開基材，便可以將基材取出
熱風(fēng)循環(huán)烘箱使用操作方法
1.本機(jī)使用電壓110V/60HZ。
2.確認(rèn)電壓后，將電源線插入110V的插座。
3.打開【POWER】開關(guān)，此時溫度表PV即顯示箱內(nèi)實(shí)際溫度。
4.首先按【SET】鍵?，SV會一直閃爍此時即可開始設(shè)定溫度，而SV的字幕窗會呈現(xiàn)高亮度，在高亮度的位置可設(shè)定所需的溫度，只要再按【SET】鍵?高亮度會隨之移動，在高亮度的地方即可設(shè)定溫度。
5.按上移鍵▲表示溫度往上遞增，按下移鍵?則溫度往下遞減。
6.當(dāng)完成以上設(shè)定溫度之后(SV仍閃爍不停)此時只要按一次【ENT】鍵SV即呈現(xiàn)剛才所設(shè)定的溫度(PV顯示實(shí)際溫度)。
7.加熱燈OUT顯示燈亮?xí)r表示機(jī)器正在加熱中，而到達(dá)設(shè)定點(diǎn)時OUT會一閃一爍(正?，F(xiàn)象)。
8. AT燈亮?xí)r表示溫度正自動演算中。
9. ALM-1紅色燈亮?xí)r表示溫度過熱(溫度會自動降溫)。
10. ALM-2紅色燈亮?xí)r表示溫度過低(溫度會自動加溫)。
11.溫度范圍:40℃~210℃。
原文鏈接：http://m.gxshunjiang.com/technology-center/jhgcjszx/2392.html
